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碳化硅

作者:admin 发布时间:2020-11-23 10:56 浏览:

随着电动汽车,可再生能源和5G等行业的创新步伐迅速提高,以满足消费者和行业的需求,电力工程师越来越多地寻求新的解决方案,以在效率,成本节省和功能方面取得优势。
碳化硅带隙更宽、临界击穿电压更高、电子速度更高、开关速度更快。对于给定的额定电压,管芯尺寸可以小得多,从而具有低导通电阻,再加上更好的导热性,从而可以降低损耗并降低运行温度。较小的裸片尺寸还减少了器件电容,从而降低了开关损耗,而碳化硅固有的高温性能反而降低了热应力。


当作为碳化硅场效应晶体管(SiC FET)实现时,使用UnitedSiC JFET与Si-MOSFET共同封装的的共源共栅,实现了一个常开型器件,具有快速、低损耗的体二极管、高雪崩能量额定值和短路条件下的自限流。碳化硅 FET具有易于栅极驱动的特性,可与老式Si-MOSFET甚至IGBT兼容,因此,通过提供兼容的封装,可以轻松地从较早的器件类型进行升级。
宁夏平鑫碳素有限公司从事碳化硅加工生产28年,人员设备稳定,专业度高。公司产品一出口至亚非欧南美等50多个国家,国内市场也占据了一席之地,宁夏平鑫期待与您的合作。


 

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